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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BFP 640FESD H6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFP 640FESD H6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFP 640FESD H6327价格参考。InfineonBFP 640FESD H6327封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFP 640FESD H6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFP 640FESD H6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS RF NPN 4.5V 50MA 4TSFP射频双极晶体管 RF BI |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Infineon Technologies BFP 640FESD H6327- |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bfp640fesd.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b291f205c5&fileId=db3a30432d9b3066012dbc8674194152 |
| 产品型号 | BFP 640FESD H6327 |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 110 @ 30mA，3V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | 4-TSFP |
| 其它名称 | BFP640FESDH6327XTSA1 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 4.8 V |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz |
| 增益 | 8B ~ 30.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | TSFP-4-1 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | SiGe |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 4.7V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 类型 | RF Silicon Germanium |
| 系列 | BFP640 |
| 集电极连续电流 | 50 mA |
| 零件号别名 | BFP640FESDH6327XTSA1 SP000890034 |
| 频率-跃迁 | 46GHz |
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